Основные причины неисправностей флешек и карт памяти

(USB Flash, CF, SD, XD, SMC, M2, XQD, PCMCIA, SxS, UFC, TF,iStick, SFM, µcard, NT NT+, и др.)

    USB флешки, как и некоторые карты памяти, могут состоять из отдельно расположенных функциональных узлов (контроллер, микросхемы памяти, цепь питания, цепь индикации), гибридного типа, или объединенных цельным корпусом в монолитном исполнении.

    Эти устройства не обладают высокой надежностью. Как правило, для их изготовления применяются не дорогие электронные комплектующие. В связи с дефицитом  на рынке качественных полупроводников многие фирмы могут использовать отбракованные чипы NAND памяти в процессе производства. Устанавливаемые контроллеры используют методы трансляции, и алгоритмы коррекции ошибок, параметры записи/чтения, не такие продвинутые как у SSD накопителей. Такие устройства предназначены для временного хранения дубликатов, копий основных файлов, или для копирования копий файлов на другое устройство, или для переноса/копирования на компьютер. Существуют твердотельные носители данных повышенной надежности в промышленном и военном исполнении.

    Проблемы в работе любых USB флешек и карт памяти могут возникнуть в таких случаях:

    1. Программный сбой работы транслятора после не безопасного извлечения из компьютера.

    2. Программный сбой работы транслятора при работе флешки или карты памяти вне допустимого температурного диапазона.

    3. Сбой работы транслятора в результате физического повреждения кристалла памяти.

    4. Сбой работы транслятора в результате естественного износа ячеек памяти.

    5. В результате физического повреждения интерфейсного разъема, кристалла памяти, контроллера, или других элементов устройства.

    6. Физическое повреждение (разрыв) микро проводников, или повреждение топологии печатной платы.

    Для извлечения данных, в большинстве случаев, мы используем комплексные решения которые базируются на применении специального оборудования. Восстановление данных с USB флешки, или карты зависит от причины неисправности, типа устройства, физического состояния ячеек памяти, и необходимостью использования специальных методов коррекции ошибок.